г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSM150GT120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSM150GT120DN2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V, IGBT Module
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Series
-
Package
Tray
Part Status
Last Time Buy
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Other Names
448-BSM150GT120DN2BOSA1,SP000100362
Standard Package
10

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7494PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO, N-Channel 150 V 5.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IMZA65R027M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, - 59A (Tc) -
Подробнее
Артикул: SPP11N80C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRGPS46160DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 240A SUPER247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: IPD60R600P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3, N-Channel 650 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: BFP640ESDH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343, RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4-2
Подробнее

Ваша заявка принята