BSO615N Infineon Technologies
Артикул
BSO615N
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Цена
220 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSO615N.jpg
Base Product Number
BSO615
Other Names
BSO615NINTR,BSO615NINCT
Power - Max
2W
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
2,500
HTSUS
8541.29.0095
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут