г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSO615NGXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Цена
220 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSO615NGXUMA1.jpg
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Power - Max
2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Other Names
448-BSO615NGXUMA1DKR,448-BSO615NGXUMA1CT,448-BSO615NGXUMA1TR,SP005353857
Standard Package
2,500
Series
Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
BSO615
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFR3708
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK, N-Channel 30 V 61A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRF9395MTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET™ MC
Подробнее
Артикул: IRF250P225
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 69A TO247AC, N-Channel 250 V 69A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IMZ120R220M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4, N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее