г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSO615NGXUMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSO615NGXUMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Цена
220 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/BSO615NGXUMA1.jpg
Supplier Device Package
PG-DSO-8
Power - Max
2W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Other Names
448-BSO615NGXUMA1DKR,448-BSO615NGXUMA1CT,448-BSO615NGXUMA1TR,SP005353857
Standard Package
2,500
Series
Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
BSO615
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IMW120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IPW90R120C3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3, N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: DF200R12KE3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLR2908PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 30A DPAK, N-Channel 80 V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: ISC037N03L5ISATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON, N-Channel 30 V 20A (Ta), 78A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFH7185TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 100V 19A 8QFN, N-Channel 100 V 19A (Ta) 3.6W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее