г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP129H6906XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP129H6906XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4, N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
205 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSP129H6906XTSA1.jpg
Other Names
2156-BSP129H6906XTSA1,ROCINFBSP129H6906XTSA1,SP001058586,BSP129H6906XTSA1TR,BSP129H6906XTSA1DKR,BSP129H6906XTSA1-ND,BSP129H6906XTSA1CT
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
240 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
108 pF @ 25 V
FET Feature
Depletion Mode
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Base Product Number
BSP129
Mounting Type
Surface Mount
Series
SIPMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL3303
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 38A TO220AB, N-Channel 30 V 38A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IKW40N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 80A 483W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 483 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRF7820TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO, N-Channel 200 V 3.7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IPD80R1K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 4A TO252, N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее
Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 130A 469W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF1010NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 85A TO220AB, N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее