г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSP716NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Артикул
BSP716NH6327XTSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4, N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Цена
102 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSP716NH6327XTSA1.jpg
Other Names
SP001087514,ROCINFBSP716NH6327XTSA1,BSP716NH6327XTSA1-ND,BSP716NH6327XTSA1TR,BSP716NH6327XTSA1CT,2156-BSP716NH6327XTSA1,BSP716NH6327XTSA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 218µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
315 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSP716
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
1,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223, N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BC858B
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRG7PH35UD1-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF7314PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFB4228PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB, N-Channel 150 V 83A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее