г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ019N03LSATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ019N03LSATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON, N-Channel 30 V 22A (Ta). 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Цена
319 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ019N03LSATMA1.jpg
Other Names
BSZ019N03LSCT-ND,BSZ019N03LSCT,SP000792362,BSZ019N03LSATMA1DKR,BSZ019N03LS-ND,BSZ019N03LSATMA1TR,BSZ019N03LSDKR-ND,BSZ019N03LSATMA1CT,BSZ019N03LSTR-ND,BSZ019N03LS,BSZ019N03LSDKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22A (Ta). 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2800 pF @ 15 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Base Product Number
BSZ019
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8-FL
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP60R190E6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFZ48NSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK, N-Channel 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SPB47N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3, N-Channel 100 V 47A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: FF300R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 450A 1600W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 450 A 1600 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IHW30N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 60A 349W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 60 A 349 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF7453TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO, N-Channel 250 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее