г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
BSZ075N08NS5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON, N-Channel 80 V 40A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Цена
305 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BSZ075N08NS5ATMA1.jpg
Other Names
BSZ075N08NS5ATMA1-ND,BSZ075N08NS5ATMA1TR,SP001132454,BSZ075N08NS5ATMA1CT,BSZ075N08NS5ATMA1DKR
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 36µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 40 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Base Product Number
BSZ075
Mounting Type
Surface Mount
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
PG-TSDSON-8
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
5,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IDW20G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE 1.2KV 20A RAPID2 TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 31A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: SPP15P10PLHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFB7537PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB, N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRGP20B120UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 40A 300W TO247AD, IGBT NPT 1200 V 40 A 300 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF8736PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO, N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее