г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

BUZ73L Infineon Technologies

Артикул
BUZ73L
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3, N-Channel 200 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/BUZ73L.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
840 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Other Names
BUZ73L-ND,BUZ73LIN,BUZ73LX,BUZ73LXK,SP000011374
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
500
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF200R12KS4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 275A 1400W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 275 A 1400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SGP15N120XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 198W TO220-3, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BSS84PWH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSS84 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFEC, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRFB4710PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB, N-Channel 100 V 75A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRLU7821PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 65A I-PAK, N-Channel 30 V 65A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее