DF200R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Артикул
DF200R12KE3HOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MODULE 1200V 1040W, IGBT Module - Single 1200 V 1040 W Chassis Mount Module
Цена
22 277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/DF200R12KE3HOSA1.jpg
Base Product Number
DF200R12
Other Names
DF200R12KE3,SP000100741,DF200R12KE3-ND
Configuration
Single
Power - Max
1040 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor
No
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
14 nF @ 25 V
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут