г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FD600R06ME3S2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FD600R06ME3S2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 600V 600A 2250W, IGBT Module Trench Field Stop Single 600 V 600 A 2250 W Chassis Mount Module
Цена
39 770 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FD600R06ME3S2BOSA1.jpg
Other Names
FD600R06ME3_S2-ND,FD600R06ME3_S2,SP000091974
Configuration
Single
Power - Max
2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
400 nA
Base Product Number
FD600R06
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
60 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRFP250NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC, N-Channel 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: LOW POWER ECONO, IGBT Module
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD-EP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 320W TO247AD, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRFU5410
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A IPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее
Артикул: BF2040E6814HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF MOSFET N-CH 5V SOT143-4, RF Mosfet N-Channel 5 V 15 mA 800MHz 23dB - PG-SOT-143-3D
Подробнее
Артикул: SDT12S60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее