г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FD600R06ME3S2BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FD600R06ME3S2BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 600V 600A 2250W, IGBT Module Trench Field Stop Single 600 V 600 A 2250 W Chassis Mount Module
Цена
39 770 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FD600R06ME3S2BOSA1.jpg
Other Names
FD600R06ME3_S2-ND,FD600R06ME3_S2,SP000091974
Configuration
Single
Power - Max
2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
600 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 600A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
400 nA
Base Product Number
FD600R06
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
60 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP12N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSC039N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON, N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IPD80R1K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 4A TO252, N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее
Артикул: DDB2U50N08W1RB23BOMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1, IGBT Module - 2 Independent Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BUZ100S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IRLR024NTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее