г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies

Артикул
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 50A 20mW Chassis Mount Module
Цена
18 781 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/FF23MR12W1M1B11BOMA1.jpg
Base Product Number
FF23MR12
Other Names
SP001602224
Power - Max
20mW
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
24
HTSUS
8541.21.0095
Series
CoolSiC™+
Package
Tray
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Silicon Carbide (SiC)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP139N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3, N-Channel 80 V 45A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPA65R600C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: BSC074N15NS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 114A TSON-8-3, N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-3
Подробнее
Артикул: IRGPS60B120KDP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 105A 595W SUPER247, IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: BSP299H6327XUSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4, N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRF100B201
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB, N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее