г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPA65R600C6 Infineon Technologies

Артикул
IPA65R600C6
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET,
Цена
103 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPA65R600C6.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIPA65R600C6,2156-IPA65R600C6
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4P254S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 250V 98A 200W TO247AC, IGBT - 250 V 98 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPB80N03S2-03
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3, N-Channel 30 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BSZ100N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: IRG4BC30W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IPD60R950C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3, N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: SPP21N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3, N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее

Ваша заявка принята