г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP40R12KE3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Цена
15 522 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP40R12KE3BOSA1.jpg
Other Names
INFINFFP40R12KE3BOSA1,FP40R12KE3-ND,FP40R12KE3,SP000083565,2156-FP40R12KE3BOSA1
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
210 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
FP40R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSM100GB120DN2K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT
Подробнее
Артикул: IPA65R190CFDXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220, N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: BAS116E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3, Diode Standard 80 V 250mA (DC) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRGSL4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF9328PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 12A 8SO, P-Channel 30 V 12A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее