г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP40R12KE3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP40R12KE3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Цена
15 522 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP40R12KE3BOSA1.jpg
Other Names
INFINFFP40R12KE3BOSA1,FP40R12KE3-ND,FP40R12KE3,SP000083565,2156-FP40R12KE3BOSA1
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
210 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Input
Standard
IGBT Type
Trench Field Stop
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Base Product Number
FP40R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP80N06S2-08
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 215W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: BUZ80A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB, N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ215CHXTMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON, Mosfet Array N and P-Channel Complementary 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IPB17N25S3100ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3, N-Channel 250 V 17A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: IRF6721STRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET, N-Channel 30 V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Подробнее
Артикул: IRF3415S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK, N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее