г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

FP40R12KT3BOSA1 Infineon Technologies

Артикул
FP40R12KT3BOSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Цена
19 466 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Modules, Транзисторы - IGBT - Модули
Image
files/FP40R12KT3BOSA1.jpg
Other Names
INFINFFP40R12KT3BOSA1,SP000100447,2156-FP40R12KT3BOSA1,FP40R12KT3-ND,FP40R12KT3
Configuration
Three Phase Inverter
Power - Max
210 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Input
Standard
IGBT Type
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor
Yes
Current - Collector Cutoff (Max)
5 mA
Base Product Number
FP40R12
Mounting Type
Chassis Mount
Standard Package
10
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2.5 nF @ 25 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9321PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO, P-Channel 30 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSP92PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 250V 260MA SOT223-4, P-Channel 250 V 260mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRL2505L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 104A TO262, N-Channel 55 V 104A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BCW61A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IGP20N60H3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее