г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUC60N04S6L039ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IAUC60N04S6L039ATMA1, N-Channel 40 V 60A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Цена
177 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUC60N04S6L039ATMA1.jpg
Power Dissipation (Max)
42W (Tc)
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.02mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 14µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1179 pF @ 25 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TDSON-8
Base Product Number
IAUC60
Standard Package
5,000
Series
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUC60N04S6L039ATMA1TR,SP001700156,448-IAUC60N04S6L039ATMA1DKR,448-IAUC60N04S6L039ATMA1CT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7105TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGBC30UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFZ46NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A TO220AB, N-Channel 55 V 53A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7809AV
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO, N-Channel 30 V 13.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF7465
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее