г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IAUS260N10S5N019TATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET_(75V 120V(, N-Channel 100 V 260A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
Цена
1 343 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IAUS260N10S5N019TATMA1.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
260A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 210µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11830 pF @ 50 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-HDSOP-16-2
Standard Package
1,800
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
16-SOP (0.398", 10.10mm Width) Exposed Pad
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
448-IAUS260N10S5N019TATMA1DKR,SP002952334,448-IAUS260N10S5N019TATMA1TR,448-IAUS260N10S5N019TATMA1CT
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDH16G65C5XKSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTKY 650V 16A TO220-2-1, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 16A (DC) Through Hole PG-TO220-2-1
Подробнее
Артикул: BSC072N03LDGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее
Артикул: IRFS4410ZTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, N-Channel 100 V 97A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: BC858CE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7342TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: FP40R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее