г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IDW100E60FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IDW100E60FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3, Diode Standard 600 V 150A (DC) Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
656 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/IDW100E60FKSA1.jpg
Base Product Number
IDW100
Other Names
IDW100E60,SP000227825,2156-IDW100E60FKSA1,IDW100E60-ND,IFEINFIDW100E60FKSA1
Speed
Fast Recovery = 200mA (Io)
Diode Type
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Reverse Recovery Time (trr)
120 ns
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr
40 µA @ 600 V
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C
Current - Average Rectified (Io)
150A (DC)
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
-
Package
Tube
Part Status
Active
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Capacitance @ Vr, F
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7240PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO, P-Channel 40 V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IPA95R750P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 9A TO220, N-Channel 950 V 9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Подробнее
Артикул: IRF7509TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8, Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: FS35R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Full Bridge Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BSC018NE2LSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON, N-Channel 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRFR2905ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее