г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IGW75N65H5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3, IGBT Trench 650 V 120 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Цена
872 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IGW75N65H5XKSA1.jpg
Other Names
SP001257936
Test Condition
400V, 75A, 8Ohm, 15V
Power - Max
395 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Switching Energy
2.25mJ (on), 950µJ (off)
Gate Charge
160 nC
Base Product Number
IGW75N65
Mounting Type
Through Hole
Standard Package
30
Series
TrenchStop™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Td (on/off) @ 25°C
28ns/174ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLR7807ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 43A DPAK, N-Channel 30 V 43A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSC014N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7, N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Подробнее
Артикул: IRLML9303TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23, P-Channel 30 V 2.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее
Артикул: IGCM10F60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 24MDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: IRG7PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 140A 556W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BCR133WH6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее