г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N135R3 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N135R3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW30N135R3.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIHW30N135R3,2156-IHW30N135R3
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPD30N08S2L-21
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3, N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Подробнее
Артикул: IPP111N15N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3, N-Channel 150 V 83A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFH7914TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56, N-Channel 30 V 15A (Ta), 35A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: IRG4PC40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 42A 160W TO247AC, IGBT - 600 V 42 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPD60R950C6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3, N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRG4PH50SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 57A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее