г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IHW30N135R3 Infineon Technologies

Артикул
IHW30N135R3
Бренд
Infineon Technologies
Описание
REVERSE CONDUCTING IGBT, IGBT
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IHW30N135R3.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Standard Package
1
Other Names
IFEINFIHW30N135R3,2156-IHW30N135R3
HTSUS
8541.29.0095
ECCN
EAR99
RoHS Status
Not applicable
Part Status
Active
Package
Bulk
Series
*
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF9Z24NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB, P-Channel 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC0500NSIATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON, N-Channel 30 V 35A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRG4BC40FPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRG4BC40 - DISCRETE IGBT WITHOUT, IGBT
Подробнее
Артикул: IRG7PK35UD1-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1400V 40A 167W TO247AD, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IRF9Z34NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK, P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BAS21UE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 250MA SC74-6, Diode Array 3 Independent Standard 200 V 250mA (DC) Surface Mount SC-74, SOT-457
Подробнее