г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW25N120H3FKSA1.jpg
Other Names
IKW25N120H3,IKW25N120H3-ND,SP000674418
Test Condition
600V, 25A, 23Ohm, 15V
Power - Max
326 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Switching Energy
2.65mJ
Gate Charge
115 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/277ns
Base Product Number
IKW25N120
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
290 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFR8403
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK, N-Channel 40 V 100A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SPD06N80C3ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3, N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IRLR8729TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IPD068N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3, N-Channel 100 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IPP90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BAT1504WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA 100 mW SOT-323
Подробнее