г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW25N120H3FKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 202 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW25N120H3FKSA1.jpg
Other Names
IKW25N120H3,IKW25N120H3-ND,SP000674418
Test Condition
600V, 25A, 23Ohm, 15V
Power - Max
326 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 25A
Switching Energy
2.65mJ
Gate Charge
115 nC
Td (on/off) @ 25°C
27ns/277ns
Base Product Number
IKW25N120
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
290 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BDP954H6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AF TRANSISTORS, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 100MHz 5 W Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: IRF1018ESPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK, N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRG7PH42UD1PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 85 A 313 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPG20N06S2L35AATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A (Tc) 65W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Подробнее
Артикул: IRF7303TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее