г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW50N60TFKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW50N60TFKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 333 W Through Hole PG-TO247-3-1
Цена
1 168 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW50N60TFKSA1.jpg
Other Names
SP000054888,2156-IKW50N60TFKSA1,INFINFIKW50N60TFKSA1,IKW50N60T,IKW50N60T-ND
Test Condition
400V, 50A, 7Ohm, 15V
Power - Max
333 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Switching Energy
2.6mJ
Gate Charge
310 nC
Td (on/off) @ 25°C
26ns/299ns
Base Product Number
IKW50N60
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
143 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF3708
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB, N-Channel 30 V 62A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSZ0506NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON, N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BSC042N03MSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON, N-Channel 30 V 17A (Ta), 93A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRL2910SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK, N-Channel 100 V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPN80R2K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223, N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Подробнее
Артикул: BCR148WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее