г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
IKW75N65EH5XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3, IGBT Trench 650 V 90 A 395 W Through Hole PG-TO247-3
Цена
1 268 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IKW75N65EH5XKSA1.jpg
Other Names
SP001257948
Test Condition
400V, 75A, 8Ohm, 15V
Power - Max
395 W
Input Type
Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
90 A
IGBT Type
Trench
Current - Collector Pulsed (Icm)
300 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Switching Energy
2.3mJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge
160 nC
Td (on/off) @ 25°C
28ns/174ns
Base Product Number
IKW75N65
Mounting Type
Through Hole
Series
TrenchStop™
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
PG-TO247-3
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
30
Reverse Recovery Time (trr)
92 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR133WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFS7530-7PPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRF7303TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT1504RE6152HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110 mA PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRFS4610PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF1010EZ
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB, N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее