г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPB80R290C3A Infineon Technologies

Артикул
IPB80R290C3A
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Цена
398 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPB80R290C3A.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 100 V
FET Feature
-
Supplier Device Package
PG-TO263-3-2
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Series
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS Status
Not applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IPB80R290C3A,INFINFIPB80R290C3A
Standard Package
1,000
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGP4063-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IPB083N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF150P221AKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3, N-Channel 150 V 186A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BSZ065N06LS5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON, N-Channel 60 V 40A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BSC123N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON, N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRLS3034TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее