IPP16CN10LGXKSA1 Infineon Technologies
Артикул
IPP16CN10LGXKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3, N-Channel 100 V 54A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Цена
112 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IPP16CN10LGXKSA1.jpg
Supplier Device Package
PG-TO220-3
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.7mOhm @ 54A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 61µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4190 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IPP16CN10L G-ND,INFINFIPP16CN10LGXKSA1,IPP16CN10L G,2156-IPP16CN10LGXKSA1-IT,SP000680878,SP000308793
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Узнайте актуальную цену на данный товар
Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут