г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IPTG011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies

Артикул
IPTG011N08NM5ATMA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8, N-Channel 80 V 42A (Ta), 408A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Цена
1 597 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Series
OptiMOS™ 5
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
17000 pF @ 40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Ta), 408A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 280µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Base Product Number
IPTG011N
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerSMD, Gull Wing
Supplier Device Package
PG-HSOG-8-1
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP005430759,448-IPTG011N08NM5ATMA1TR,448-IPTG011N08NM5ATMA1DKR,448-IPTG011N08NM5ATMA1CT
Standard Package
1,800
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRGSL4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRF4104
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB, N-Channel 40 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: MMBT2907ALT1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRG4BC40W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRG4PSC71KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 85A SUPER247, IGBT - 600 V 85 A 350 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее
Артикул: SPW16N50C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SPW16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE,
Подробнее