г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF540NSTRRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF540NSTRRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK, N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
279 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF540NSTRRPBF.jpg
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Not For New Designs
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF540NSTRRPBFTR,SP001571284,IRF540NSTRRPBFCT,IRF540NSTRRPBFDKR,IRF540NSTRRPBF-ND
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRF540
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: F475R12KS4B11BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 500W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 100 A 500 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRAM136-1061A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOSFET DRIVER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BAR8902LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2, RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: IRF7104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF3805STRL-7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: BSC014N06NSTATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL, N-Channel 60 V 100A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее