г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7205PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7205PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO, P-Channel 30 V 4.6A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Цена
145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7205PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 10 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Other Names
2156-IRF7205PBF-IT,SP001551218,IFEINFIRF7205PBF
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,800
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BTS132
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: IPT010N08NM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8, N-Channel 80 V 43A (Ta), 425A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8
Подробнее
Артикул: IRLHM620TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN, N-Channel 20 V 26A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Подробнее
Артикул: IRGB4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 600V 48A TO220AB, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BAT1502LRHE6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-TSLP-2-7
Подробнее
Артикул: BUZ30AH
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее