г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7389PBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7389PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
Image
files/IRF7389PBF.jpg
Base Product Number
IRF7389PBF
Other Names
SP001574944,2156-IRF7389PBF-IT
Power - Max
2.5W
FET Type
N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 25V
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,800
HTSUS
8541.29.0095
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
FET Feature
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW15N120H3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 30 A 217 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FP100R12KT4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 515W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 515 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL520NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK, N-Channel 100 V 10A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IPP110N20N3GXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3, N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRG7PH50K10DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRFSL4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A TO262, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее