г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRF7473TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRF7473TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO, N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Цена
277 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRF7473TRPBF.jpg
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRF7473PBFDKR,SP001555418,IRF7473TRPBFTR-ND,*IRF7473TRPBF,IRF7473TRPBF-ND,IRF7473PBFCT,IRF7473PBFTR
Standard Package
4,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRF7473
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: AUIRFZ48Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFZ48Z - 55V-60V N-CHANNEL AU, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IHW30N120R2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 60A 390W TO247-3, IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 60 A 390 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPP90R340C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 900V 15A TO220-3, N-Channel 900 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IPP60R190E6XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: BCR108E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 170 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: SPP70N10L
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3, N-Channel 100 V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее