г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB7430PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB7430PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N CH 40V 195A TO220, N-Channel 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
549 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFB7430PBF.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
460 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14240 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001551786
Standard Package
50
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFB7430
Power Dissipation (Max)
375W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPA20N60C3XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31, N-Channel 600 V 20.7A (Tc) 34.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Подробнее
Артикул: IRL60HS118
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN, N-Channel 60 V 18.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2)
Подробнее
Артикул: IMZA65R027M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH, - 59A (Tc) -
Подробнее
Артикул: BSZ16DN25NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON, N-Channel 250 V 10.9A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC072N03LDGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11.5A 57W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Подробнее