г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP054NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP054NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
487 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP054NPBF.jpg
Other Names
SP001566178,*IRFP054NPBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP054
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF2807ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB, N-Channel 75 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB41N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB, N-Channel 150 V 41A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BSC050NE2LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON, N-Channel 25 V 39A (Ta), 58A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: IRG4BC10SD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: ISC045N03L5SATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 18A/63A TDSON, N-Channel 30 V 18A (Ta), 63A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее