г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP054NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP054NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
487 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP054NPBF.jpg
Other Names
SP001566178,*IRFP054NPBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP054
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL2910
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPB100N03S203T
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3, N-Channel 30 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: BC807-25
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF7314PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BCW 61C E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRF7425PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 15A 8SO, P-Channel 20 V 15A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее