г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP054NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP054NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC, N-Channel 55 V 81A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
487 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP054NPBF.jpg
Other Names
SP001566178,*IRFP054NPBF
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP054
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF200R12KT4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1100W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 320 A 1100 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7465TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SO, N-Channel 150 V 1.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BSD316SNH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6, N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: BFP450E6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANSISTOR, L BAND, NPN, RF Transistor NPN 5V 100mA 24GHz 450mW Surface Mount PG-SOT343-4
Подробнее
Артикул: BAT1503WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2, RF Diode Schottky - Single 4V 110 mA 100 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее