г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4768PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4768PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC, N-Channel 250 V 93A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 266 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFP4768PBF.jpg
Other Names
SP001571028
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10880 pF @ 50 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFP4768
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247AC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
25
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPW60R017C7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_NEW, N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Подробнее
Артикул: IRF7204TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO, P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAR6403WE6327
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF PIN DIODE > ANTENNA SWITCH, RF Diode PIN - Single 150V 100 mA 250 mW PG-SOD323-2
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: BC808-40
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IRF7663
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8, P-Channel 20 V 8.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
Подробнее