г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR120ZTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK, N-Channel 100 V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
145 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR120ZTRPBF.jpg
Other Names
IRFR120ZTRPBFDKR,SP001554998,IRFR120ZTRPBFCT,IRFR120ZTRPBFTR,IRFR120ZTRPBF-ND
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Base Product Number
IRFR120
Mounting Type
Surface Mount
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Standard Package
2,000
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG7PH46UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 130A 469W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 130 A 469 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSS83PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3, P-Channel 60 V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRG4PC30FDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF3709ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB, N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7739L1TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET, N-Channel 40 V 46A (Ta), 270A (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее