г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3607TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
329 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3607TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3070 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR3607TRPBFCT,IRFR3607TRPBFDKR,SP001567010,IRFR3607TRPBFTR
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR3607
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BCR108SH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 170MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
Подробнее
Артикул: IRGB15B60KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 31A 208W TO220AB, IGBT NPT 600 V 31 A 208 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRFB7746PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 59A TO220AB, N-Channel 75 V 59A (Tc) 99W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: SPB10N10LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: SPP15P10PLHXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFR1205
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, N-Channel 55 V 44A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее