г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3607TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3607TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK, N-Channel 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
329 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3607TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3070 pF @ 50 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRFR3607TRPBFCT,IRFR3607TRPBFDKR,SP001567010,IRFR3607TRPBFTR
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR3607
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF450R12KE4HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 520A 2400W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 520 A 2400 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRL3715
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 54A TO220AB, N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRL3705NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK, N-Channel 55 V 89A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: BSZ0803LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON, N-Channel 100 V 9A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Подробнее
Артикул: BSZ019N03LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON, N-Channel 30 V 22A (Ta). 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Подробнее
Артикул: BCW67C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее