г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR3710ZPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR3710ZPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK, N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
176 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR3710ZPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2930 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
64-4132PBF-ND,64-4132PBF,SP001555090,*IRFR3710ZPBF
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
3,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRLU3802PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 12V 84A I-PAK, N-Channel 12 V 84A (Tc) 88W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: AUIRFZ48Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AUIRFZ48Z - 55V-60V N-CHANNEL AU, N-Channel 55 V 61A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRLR3410TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK, N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLML6302TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23, P-Channel 20 V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Подробнее