г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR4105TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR4105TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK, N-Channel 55 V 27A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
205 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR4105TRPBF.jpg
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001567638,IRFR4105TRPBF-ND,IRFR4105PBFDKR,IRFR4105TRPBFTR-ND,IRFR4105PBFCT,*IRFR4105TRPBF,IRFR4105PBFTR
Standard Package
2,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Base Product Number
IRFR4105
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAT6202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SC79-2, Diode Schottky 40 V 20mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее
Артикул: IRAMX16UP60A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC PWR HYBRID 600V 16A 23PWRSIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 16 A 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Подробнее
Артикул: BSC0802LSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 20A/100A TDSON, N-Channel 100 V 20A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Подробнее
Артикул: BSL207SP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6, P-Channel 20 V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount PG-TSOP6-6
Подробнее
Артикул: IPW60R070P6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,, N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRLMS2002TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6, N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Подробнее