г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR7446PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR7446PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 56A TO252, N-Channel 40 V 56A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFR7446PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
98W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3150 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Other Names
SP001576132
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
75
Series
HEXFET®, StrongIRFET™
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG8P08N120KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC, IGBT - 1200 V 15 A 89 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4BC20UD-SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 13A 60W D2PAK, IGBT - 600 V 13 A 60 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: AUIRF3805S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IDP30E60XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO220, Diode Standard 600 V 52.3A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее