г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS4321PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS4321PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK, N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
414 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFS4321PBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
350W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4460 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
64-2093PBF-ND,64-2093PBF,SP001565018
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±30V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRL40SC228
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK, N-Channel 40 V 557A (Tc) 416W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: IRFS4229TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK, N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: FF150R12ME3G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 200A 695W, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 200 A 695 W Chassis Mount AG-ECONOD-3
Подробнее
Артикул: BSP317PH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4, P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Подробнее
Артикул: SPD30P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3, P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: AUIRF7319QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее