г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU3806PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFU3806PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 43A IPAK, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFU3806PBF.jpg
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
2156-IRFU3806PBF-IT,SP001552424,IFEINFIRFU3806PBF
Standard Package
75
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
71W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FP40R12KE3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IKW40N65H5FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 74A TO247-3, IGBT - 650 V 74 A 255 W Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IDL08G65C5XUMA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 650V 8A VSON-4, Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 8A (DC) Surface Mount PG-VSON-4
Подробнее
Артикул: IPAW60R180P7SXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220, N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Подробнее
Артикул: IRFSL3806PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IRFSL3806 - 12V-300V N-CHANNEL P, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: BFR106E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3, RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее