г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ44ZSPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFZ44ZSPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK, N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
851 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRFZ44ZSPBF.jpg
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation (Max)
80W (Tc)
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.9mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1420 pF @ 25 V
FET Feature
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Other Names
SP001565260,*IRFZ44ZSPBF
Mounting Type
Surface Mount
Standard Package
1,000
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package
D2PAK
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Vgs (Max)
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKW40N120T2FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3, IGBT Trench 1200 V 75 A 480 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRFP150NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC, N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: FF600R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 4050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 4050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: SPS01N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3, N-Channel 650 V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Подробнее
Артикул: BCX41E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS NPN 125V 0.8A SOT-23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 125 V 800 mA 100MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IPP037N08N3 G
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1,
Подробнее