г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7S313UTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7S313UTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT PDP 330V 40A D2PAK, IGBT Trench 330 V 40 A 78 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRG7S313UTRLPBF.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
330 V
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.14V @ 15V, 60A
Power - Max
78 W
Switching Energy
-
Input Type
Standard
Gate Charge
33 nC
Td (on/off) @ 25°C
1ns/65ns
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Series
-
Package
Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRG7S313UTRLPBFCT,SP001537462,IRG7S313UTRLPBFTR,IRG7S313UTRLPBFDKR
Standard Package
800
Mounting Type
Surface Mount
Base Product Number
IRG7S313U
Test Condition
196V, 12A, 10Ohm

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRG4PH50UPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC, IGBT - 1200 V 45 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5800
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4A MICRO6, P-Channel 30 V 4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Подробнее
Артикул: IRF3205Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB, N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7467
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRGBC30UD2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF8915
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее