г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4630DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4630DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 47A 206W TO247AC, IGBT - 600 V 47 A 206 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/IRGP4630DPBF.jpg
IGBT Type
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
47 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
54 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 18A
Power - Max
206 W
Switching Energy
95µJ (on), 350µJ (off)
Input Type
Standard
Gate Charge
35 nC
Td (on/off) @ 25°C
40ns/105ns
Test Condition
400V, 18A, 22Ohm, 15V
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247AC
Series
-
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001548100,IFEINFIRGP4630DPBF,2156-IRGP4630DPBF-IT
Standard Package
25
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Reverse Recovery Time (trr)
100 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: SPP80N06S2-09
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3, N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IPI80CN10NG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Подробнее
Артикул: AUIRFR1018E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK, N-Channel 60 V 56A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: BSS159NH6327XTSA2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3, N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BAT6804E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее