г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL2910 Infineon Technologies

Артикул
IRL2910
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB, N-Channel 100 V 55A (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
556 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRL2910.jpg
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3700 pF @ 25 V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Mounting Type
Through Hole
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
*IRL2910,SP001568342,2266-IRL2910
Standard Package
50
FET Feature
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF600R12KE4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 600A, IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 600 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRLL024ZPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223, N-Channel 55 V 5A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: IRF7506TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8™
Подробнее
Артикул: IKW25N120T2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IKW25N120 - DISCRETE IGBT WITH A, IGBT
Подробнее
Артикул: BCR141E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT23
Подробнее
Артикул: IRLU2905Z
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее