г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLML9303TRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLML9303TRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23, P-Channel 30 V 2.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Цена
84 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLML9303TRPBF.jpg
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
Micro3™/SOT-23
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
160 pF @ 25 V
FET Feature
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Part Status
Active
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
IRLML9303TRPBFDKR,IRLML9303TRPBFCT,IRLML9303TRPBF-ND,SP001558866,IRLML9303TRPBFTR
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Base Product Number
IRLML9303
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BAR6405WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RF DIODE PIN 150V 250MW SOT323-3, RF Diode PIN - 1 Pair Common Cathode 150V 100 mA 250 mW SOT-323
Подробнее
Артикул: BCW65C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: IRF6668TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: IRG4PH40KDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 30 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: BSC360N15NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON, N-Channel 150 V 33A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: IRFPS3815PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247, N-Channel 150 V 105A (Tc) 441W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Подробнее