г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3636PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR3636PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
336 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3636PBF.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3779 pF @ 50 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001553190,2156-IRLR3636PBFINF,INFINFIRLR3636PBF
Standard Package
3,000
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF640NSTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK, N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: SKW07N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 16.5A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4BAC50W-S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W SUPER 220, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Подробнее
Артикул: IRFP4127PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC, N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IRF5851TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: BAS70-07W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SCHOTTKY DIODE - HIGH SPEED SWIT, Diode Array 2 Independent Schottky 70 V 70mA (DC) Surface Mount SC-82A, SOT-343
Подробнее