г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3714 Infineon Technologies

Артикул
IRLR3714
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK, N-Channel 20 V 36A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Image
files/IRLR3714.jpg
Supplier Device Package
D-Pak
REACH Status
REACH Unaffected
FET Type
N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 10 V
FET Feature
-
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS Status
RoHS non-compliant
Series
HEXFET®
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SP001558928,*IRLR3714
Standard Package
75
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)
47W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IRF7309TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3A 1.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC858BW
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: AUIRGP35B60PD-E
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 60A 308W TO247AD, IGBT NPT 600 V 60 A 308 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: IDW10G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 17A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IPW60R099P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3, N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: BAT6202VH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V SC79-2, Diode Schottky 40 V 20mA (DC) Surface Mount PG-SC79-2-1
Подробнее