г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

MMBT3906LT1 Infineon Technologies

Артикул
MMBT3906LT1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Цена
3 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Image
files/MMBT3906LT1.jpg
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Power - Max
225 mW
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Other Names
2156-MMBT3906LT1-ITTR,IFEINFMMBT3906LT1
Standard Package
3,000
Series
-
Package
Bulk
Part Status
Obsolete
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Frequency - Transition
250MHz

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IKZ50N65EH5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4, IGBT Trench 650 V 85 A 273 W Through Hole PG-TO247-4
Подробнее
Артикул: IRFH7932TR2PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56, N-Channel 30 V 24A (Ta), 104A (Tc) 3.4W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Подробнее
Артикул: IPW60R190E6FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3, N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: FF1200R12KE3NOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IPS70R600P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее
Артикул: IRG4PC50U
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее