г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT05S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT05S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 5A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 5A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Цена
491 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT05S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
5A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 5 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
170pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
IFEINFSDT05S60,2156-SDT05S60-IT,SP000014671,SDT05S60X,SDT05S60XK
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IDP30E60
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IDP30E60 - SILICON POWER DIODE, Diode
Подробнее
Артикул: IPW60R080P7XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3, N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Подробнее
Артикул: IRF5851
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/PCH 20V 2.7A/2.2A 6TSOP, Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: IMZ120R220M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4, N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: IRFB42N20D
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB, N-Channel 200 V 44A (Tc) 2.4W (Ta), 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: IRF7321D2TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO, P-Channel 30 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее