г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT12S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT12S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT12S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
12A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
400 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
450pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
SDT12S60IN,SDT12S60IN-NDR,SDT12S60X,SDT12S60XK,SDT12S60XTIN,SDT12S60XTIN-ND,SP000013825
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: BSC066N06NSATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6, N-Channel 60 V 64A (Tc) 2.5W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Подробнее
Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: IPA65R150CFDXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220, N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111
Подробнее
Артикул: IRF7466
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IKQ120N60TXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 160A TO247-3-46, IGBT Trench Field Stop 600 V 160 A 833 W Through Hole PG-TO247-3-46
Подробнее
Артикул: IRFP3006PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO247AC, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее