г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SDT12S60 Infineon Technologies

Артикул
SDT12S60
Бренд
Infineon Technologies
Описание
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO220-2, Diode Silicon Carbide Schottky 600 V 12A (DC) Through Hole PG-TO220-2-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
Image
files/SDT12S60.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Diode Type
Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Current - Average Rectified (Io)
12A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 12 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
400 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr, F
450pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package
PG-TO220-2-2
Package / Case
TO-220-2
Series
CoolSiC™+
Package
Tube
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Other Names
SDT12S60IN,SDT12S60IN-NDR,SDT12S60X,SDT12S60XK,SDT12S60XTIN,SDT12S60XTIN-ND,SP000013825
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 175°C

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: IPP50R190CEXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-3, N-Channel 500 V 18.5A (Tc) 127W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Подробнее
Артикул: IRFR5410TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK, P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: SDB20S30
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 300V D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 300 V 10A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: IPD95R450P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3, N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее
Артикул: IGW60T120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH 1200V 100A TO247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 100 A 375 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: IPW65R280E6
Бренд: Infineon Technologies
Описание: 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET,
Подробнее