г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

SGP15N120XKSA1 Infineon Technologies

Артикул
SGP15N120XKSA1
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3, IGBT NPT 1200 V 30 A 198 W Through Hole PG-TO220-3-1
Цена
657 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
Image
files/SGP15N120XKSA1.jpg
REACH Status
REACH Unaffected
IGBT Type
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.6V @ 15V, 15A
Power - Max
198 W
Switching Energy
1.9mJ
Input Type
Standard
Gate Charge
130 nC
Td (on/off) @ 25°C
18ns/580ns
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Series
-
Package
Tube
Part Status
Last Time Buy
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Other Names
SGP15N120,SP000683122,SGP15N120-ND
Standard Package
500
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Test Condition
800V, 15A, 33Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Доставка от 3 до 10 дней

из Европы Америки и Азии

Гарантия 12 месяцев

на всё оборудование, включая б/у

Можем поставить редкое и снятое

с производства оборудование

Более 5000 брендов

поставим под заказ

Похожие товары

Артикул: FF225R12ME4BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 320A 1050W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 320 A 1050 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BCR141WE6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 250 mW Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: IRFB7440GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB, N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: IRF7103Q
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 3A 2.4W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IRF3315PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB, N-Channel 150 V 23A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее